دسته : ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته در 13 صفحه فارسی ورد قابل ویرایش با فرمت doc به همراه اصل مقاله انگلیسی
عنوان فارسی :
درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته
عنوان انگلیسی :
A New Gate Driver Integrated Circuit for IGBT Devices With Advanced Protections
تعداد صفحات فارسی : 13 صفحه ورد قابل ویرایش
سطح ترجمه : متوسط
شناسه کالا : bree
دانلود رایگان مقاله انگلیسی : http://ofmas.ir/dlpaper/bree.pdf
دانلود ترجمه فارسی مقاله : بلافاصله پس از پرداخت آنلاین 7 هزار و 500 تومان قادر به دانلود خواهید بود .
بخشی از ترجمه :
چکیده
هدف از این مقاله بحث در مورد راه حل های جدید در طراحی گیت عایق ترانزیستور دوقطبی (IGBT) و درایور گیت با محافظت پیشرفته مانند دو سطح می باشد و به نوبه خود کاهش جریان پیک را هنگام روشن کردن دستگاه به همراه دارد ، دو سطح به نوبه خود خاموش شده و برای محدود کردن بیش از حد ولتاژ هنگامی که دستگاه خاموش است، و میلر تابع گیره فعال در برابر پدیده های انتقال متقابل عمل می کنند . پس از آن، ما یک مدار جدید که شامل یک سطح با دو درایور خاموش و یک تابع گیره میلر می باشد خواهیم داشت . آزمایش و نتایج برای این عملکرد های پیشرفته مورد بحث، با تاکید خاص بر نفوذ در سطح متوسط در دو سطح خاموش درایور در حد خارج شدن در سراسر IGBT می باشد .
Abstract
The aim of this paper is to discuss new solutions in the design of insulated gate bipolar transistor (IGBT) gate drivers with advanced protections such as two-level turn-on to reduce peak current when turning on the device, two-level turn-off to limit over-voltage when the device is turned off, and an active Miller clamp function that acts against cross conduction phenomena. Afterwards, we describe a new circuit which includes a two-level turn-off driver and an active Miller clamp function. Tests and results for these advanced functions are discussed, with particular emphasis on the influence of an intermediate level in a two-level turn-off driver on overshoot across the IGBT.